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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPI111N15N3GAKSA1

IPI111N15N3GAKSA1

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品番
IPI111N15N3GAKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPI111N15N3GAKSA1.pdf
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$2.80602

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品番
IPI111N15N3GAKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
83A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 160µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
55nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3230pF @ 75V
FET機能
-
消費電力（最大）
214W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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