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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

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品番
DMJ70H1D3SJ3
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH TO251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.95120
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$0.95120

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品番
DMJ70H1D3SJ3
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH TO251
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
13.9nC @ 10V
Vgs（最大）
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
351pF @ 50V
FET機能
-
消費電力（最大）
41W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-251
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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