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S1JHR3G

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品番
S1JHR3G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
S1JHR3G.pdf
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品番
S1JHR3G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.1V @ 1A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ
1µA @ 600V
静電容量@ Vr、F
12pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 175°C

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