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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

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品番
TK39J60W5,S1VQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$11.05000
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$11.05000

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品番
TK39J60W5,S1VQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
38.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.7V @ 1.9mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
135nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4100pF @ 300V
FET機能
Super Junction
消費電力（最大）
270W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P(N)
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3

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