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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SPB08P06PGATMA1

SPB08P06PGATMA1

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品番
SPB08P06PGATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SPB08P06PGATMA1.pdf
合計:$0.45540
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$0.45540

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品番
SPB08P06PGATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
8.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
13nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
420pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
42W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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