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FDC6312P

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品番
FDC6312P
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDC6312P.pdf
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品番
FDC6312P
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
467pF @ 10V
パワー-最大
700mW
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
SuperSOT™-6

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