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IXDN430MYI

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品番
IXDN430MYI
メーカー
IXYS Corporation
説明
IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXDN430MYI.pdf
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品番
IXDN430MYI
メーカー
IXYS Corporation
説明
IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
部品ステータス
Obsolete
駆動構成
Low-Side
チャンネルタイプ
Single
ドライバー数
1
門型
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧-供給
8.5V ~ 35V
ロジック電圧-VIL、VIH
0.8V, 3.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)
30A, 30A
入力方式
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)
-
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)
18ns, 16ns
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D²Pak)

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