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MUN5312DW1T2G

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品番
MUN5312DW1T2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.04326
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$0.04326

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品番
MUN5312DW1T2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
部品ステータス
Active
トランジスタータイプ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大)
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
50V
抵抗-ベース(R1)
22 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2)
22 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ(最大)
500nA
頻度-遷移
-
パワー-最大
385mW
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-88/SC70-6/SOT-363

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