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IXFN32N120P

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品番
IXFN32N120P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFN32N120P.pdf
合計:$51.76200
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$51.76200

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品番
IXFN32N120P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
32A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
310 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
6.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
360nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
21000pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
1000W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227B
パッケージ/ケース
SOT-227-4, miniBLOC

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