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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDFS2P102

FDFS2P102

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品番
FDFS2P102
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDFS2P102.pdf
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品番
FDFS2P102
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
3.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
125 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
10nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
270pF @ 10V
FET機能
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大）
900mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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