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STB4NK60Z-1

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品番
STB4NK60Z-1
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
STB4NK60Z-1.pdf
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$1.90000

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品番
STB4NK60Z-1
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
26nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
510pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
70W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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