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DGD2118S8-13

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品番
DGD2118S8-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DGD2118S8-13.pdf
合計:$1.11600
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$1.11600

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品番
DGD2118S8-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
部品ステータス
Active
駆動構成
High-Side
チャンネルタイプ
Single
ドライバー数
1
門型
IGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給
10V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH
6V, 9.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)
290mA, 600mA
入力方式
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)
75ns, 35ns
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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