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IPD60R3K3C6ATMA1

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品番
IPD60R3K3C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPD60R3K3C6ATMA1.pdf
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$0.30202

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品番
IPD60R3K3C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
1.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 40µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
4.6nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
93pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
18.1W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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