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BVSS123LT1G

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品番
BVSS123LT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
BVSS123LT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
170mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.8V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
20pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
225mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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