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SI8902AEDB-T2-E1

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品番
SI8902AEDB-T2-E1
メーカー
Vishay
説明
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI8902AEDB-T2-E1.pdf
合計:$0.33602
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品番
SI8902AEDB-T2-E1
メーカー
Vishay
説明
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
24V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
5.7W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
6-Micro Foot™ (1.5x1)

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