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SIRB40DP-T1-GE3

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品番
SIRB40DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIRB40DP-T1-GE3.pdf
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品番
SIRB40DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
40A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
45nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4290pF @ 20V
パワー-最大
46.2W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual

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