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IRFHM830DTR2PBF

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品番
IRFHM830DTR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFHM830DTR2PBF.pdf
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品番
IRFHM830DTR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.35V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
27nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1797pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (3x3)
パッケージ/ケース
8-VQFN Exposed Pad

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