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SI4972DY-T1-E3

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品番
SI4972DY-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
SI4972DY-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
10.8A, 7.2A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
28nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1080pF @ 15V
パワー-最大
3.1W, 2.5W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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