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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

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品番
SIB412DK-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIB412DK-T1-GE3.pdf
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品番
SIB412DK-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
10.16nC @ 5V
Vgs（最大）
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
535pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース
PowerPAK® SC-75-6L

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