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GA10SICP12-263

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品番
GA10SICP12-263
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GA10SICP12-263.pdf
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$27.91740

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品番
GA10SICP12-263
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
部品ステータス
Active
FETタイプ
-
技術
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs
100 mOhm @ 10A
Vgs(th)(最大)@ Id
-
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
Vgs(最大)
-
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1403pF @ 800V
FET機能
-
消費電力(最大)
170W (Tc)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK (7-Lead)
パッケージ/ケース
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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