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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

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品番
SIHH21N65E-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIHH21N65E-T1-GE3.pdf
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$3.47463

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品番
SIHH21N65E-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
20.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
170 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
99nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2404pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
156W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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