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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FQP11P06

FQP11P06

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品番
FQP11P06
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FQP11P06.pdf
合計:$1.35000
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$1.35000

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品番
FQP11P06
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
11.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
175 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
17nC @ 10V
Vgs（最大）
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
550pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
53W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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