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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPB60R380C6ATMA1

IPB60R380C6ATMA1

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品番
IPB60R380C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB60R380C6ATMA1.pdf
合計:$1.01075
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$1.01075

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品番
IPB60R380C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
10.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 320µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
32nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
700pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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