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IPB60R099C7ATMA1

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品番
IPB60R099C7ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB60R099C7ATMA1.pdf
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$3.03626

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品番
IPB60R099C7ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 490µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
42nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1819pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
110W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ/ケース
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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