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DMT8012LFG-7

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品番
DMT8012LFG-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMT8012LFG-7.pdf
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品番
DMT8012LFG-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
34nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1949pF @ 40V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN

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