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IPA65R1K0CEXKSA1

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品番
IPA65R1K0CEXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPA65R1K0CEXKSA1.pdf
合計:$1.15000
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$1.15000

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品番
IPA65R1K0CEXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V TO220-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
7.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
15.3nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
328pF @ 100V
FET機能
Super Junction
消費電力(最大)
68W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack

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