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TK100L60W,VQ

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品番
TK100L60W,VQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$31.20000
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$31.20000

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品番
TK100L60W,VQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
100A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.7V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
360nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
15000pF @ 30V
FET機能
Super Junction
消費電力(最大)
797W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P(L)
パッケージ/ケース
TO-3PL

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