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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSP318SH6327XTSA1

BSP318SH6327XTSA1

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品番
BSP318SH6327XTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 2.6A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSP318SH6327XTSA1.pdf
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品番
BSP318SH6327XTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 2.6A
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
2.6A (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 20µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
20nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
380pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.8W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース
TO-261-4, TO-261AA

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