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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSS225H6327FTSA1

BSS225H6327FTSA1

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品番
BSS225H6327FTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSS225H6327FTSA1.pdf
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$0.27048

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品番
BSS225H6327FTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
90mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.3V @ 94µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
5.8nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
131pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
1W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT89
パッケージ/ケース
TO-243AA

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