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FDMS3660S

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品番
FDMS3660S
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.52098
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$0.52098

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品番
FDMS3660S
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
13A, 30A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.7V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
29nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1765pF @ 15V
パワー-最大
1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
Power56

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