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RJK1003DPN-E0#T2

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品番
RJK1003DPN-E0#T2
メーカー
Renesas Electronics America
説明
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
RJK1003DPN-E0#T2
メーカー
Renesas Electronics America
説明
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
50A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
-
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
59nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4150pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
125W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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