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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPL60R210P6AUMA1

IPL60R210P6AUMA1

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品番
IPL60R210P6AUMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 4VSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPL60R210P6AUMA1.pdf
合計:$1.39055
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$1.39055

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品番
IPL60R210P6AUMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 4VSON
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
19.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
210 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.5V @ 630µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
37nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1750pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
151W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-VSON-4
パッケージ/ケース
4-PowerTSFN

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