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SQ3419AEEV-T1_GE3

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品番
SQ3419AEEV-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQ3419AEEV-T1_GE3.pdf
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品番
SQ3419AEEV-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6.9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
61 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
12.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
975pF @ 20V
FET機能
-
消費電力(最大)
5W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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