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IPD30N06S2L13ATMA4

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品番
IPD30N06S2L13ATMA4
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
IPD30N06S2L13ATMA4
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 80µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
69nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1800pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
136W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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