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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FCP190N60E

FCP190N60E

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品番
FCP190N60E
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FCP190N60E.pdf
合計:$3.33000
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$3.33000

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品番
FCP190N60E
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V TO220-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
20.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
82nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3175pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
208W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3

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