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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

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品番
GP2M002A065PG
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
GP2M002A065PG
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
8.5nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
353pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
52W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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