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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2

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品番
BSS126H6327XTSA2
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSS126H6327XTSA2.pdf
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$0.17301

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品番
BSS126H6327XTSA2
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
21mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
0V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
500 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
1.6V @ 8µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
2.1nC @ 5V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
28pF @ 25V
FET機能
Depletion Mode
消費電力（最大）
500mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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