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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

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品番
SI2342DS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI2342DS-T1-GE3.pdf
合計:$0.19855
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$0.19855

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品番
SI2342DS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
17 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
800mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
15.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1070pF @ 4V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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