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TSM80N1R2CI C0G

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品番
TSM80N1R2CI C0G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
TSM80N1R2CI C0G.pdf
合計:$2.05000
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$2.05000

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品番
TSM80N1R2CI C0G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
5.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
19.4nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
685pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
25W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
ITO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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