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IXTY02N120P

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品番
IXTY02N120P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTY02N120P.pdf
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品番
IXTY02N120P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
200mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
4.7nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
104pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
33W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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