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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

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品番
SIRA00DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIRA00DP-T1-GE3.pdf
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$1.11616

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品番
SIRA00DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
220nC @ 10V
Vgs（最大）
+20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
11700pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
6.25W (Ta), 104W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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