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DF200R12W1H3B27BOMA1

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品番
DF200R12W1H3B27BOMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf
合計:$51.67958
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$51.67958

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品番
DF200R12W1H3B27BOMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
-
構成
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
30A
パワー-最大
375W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
1.3V @ 15V, 30A
電流-コレクターのカットオフ(最大)
1mA
入力容量(Cies)@ Vce
2nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
Yes
動作温度
-40°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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