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BS2100F-E2

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品番
BS2100F-E2
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
IC DVR IGBT/MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
BS2100F-E2
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
IC DVR IGBT/MOSFET
部品ステータス
Not For New Designs
駆動構成
Half-Bridge
チャンネルタイプ
Independent
ドライバー数
2
門型
N-Channel MOSFET
電圧-供給
10V ~ 18V
ロジック電圧-VIL、VIH
1V, 2.6V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)
60mA, 130mA
入力方式
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)
200ns, 100ns
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP

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