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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

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品番
APT11N80BC3G
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$6.05000
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$6.05000

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品番
APT11N80BC3G
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.9V @ 680µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
60nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1585pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
156W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247 [B]
パッケージ/ケース
TO-247-3

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