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SI7860DP-T1-E3

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品番
SI7860DP-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
SI7860DP-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
18nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
FET機能
-
消費電力(最大)
1.8W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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