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TK17E65W,S1X

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品番
TK17E65W,S1X
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
TK17E65W,S1X
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
17.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 900µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
45nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1800pF @ 300V
FET機能
-
消費電力(最大)
165W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
パッケージ/ケース
TO-220-3

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