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SIHH068N60E-T1-GE3

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品番
SIHH068N60E-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIHH068N60E-T1-GE3.pdf
合計:$4.66180
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$4.66180

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品番
SIHH068N60E-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
34A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
68 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
80nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2650pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
202W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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