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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

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品番
SIHF30N60E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIHF30N60E-GE3.pdf
合計:$6.78000
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$6.78000

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品番
SIHF30N60E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
130nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2600pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
37W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
-
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack

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