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SPB80N10L G

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品番
SPB80N10L G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SPB80N10L G.pdf
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品番
SPB80N10L G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
部品ステータス
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
14 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
240nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4540pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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