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SIB406EDK-T1-GE3

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品番
SIB406EDK-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIB406EDK-T1-GE3.pdf
合計:$0.22563
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品番
SIB406EDK-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
12nC @ 10V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
350pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.95W (Ta), 10W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース
PowerPAK® SC-75-6L

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